SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション
Bibliographic Information
- Other Title
-
- SiN/AlN セキソウ コウゾウ ニ ヨル AlGaN/GaN ヘテロ セツゴウ デンカイ コウカ トランジスタ ノ ヒョウメン パッシベーション
- Surface passivation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors by SiN/AlN bilayer structure
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (87), 1-4, 2008-06
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Keywords
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009407106641280
-
- NII Article ID
- 10030997784
- 110006951199
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL BIB ID
- 9573279
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles
