ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響
書誌事項
- タイトル別名
-
- ランダムテレグラフノイズ(RTN)ノ トウケイテキ ヒョウカ シュホウ ト ビサイ MOSFETバラツキ エ ノ エイキョウ
- Statistical Analysis of Random Telegraph Noise (RTN) and its Impact on Variation in Threshold Voltage of Highly Scaled MOSFET
- シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス ・ IEDM トクシュウ(センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ)
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (421), 31-34, 2013-01-30
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009407210929664
-
- NII論文ID
- 110009728057
-
- NII書誌ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL書誌ID
- 024262996
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles