再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs
Bibliographic Information
- Other Title
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- サイセイチョウ AlGaN コンタクトソウ オ ユウスル アッシュク ヒズミ InAlN AlGaN GaN FETs
- Compressively strained InAlN/AlGaN/GaN FETs with regrown AlGaN contact layers
- マイクロ波
- マイクロハ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (361), 71-76, 2010-01
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407353963648
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- NII Article ID
- 110007999994
- 110008000814
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles