100-mm-diameter AlGaN/GaN Epitaxial Wafers for HEMTs Grown on Sapphire Substrates
書誌事項
- タイトル別名
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- 100 mm diameter AlGaN GaN Epitaxial Wafers for HEMTs Grown on Sapphire Substrates
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ
- Devices:先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ
- Devices センタン デバイス ノ キソ ト オウヨウ ニ カンスル アジアワークショップ
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 103 (160), 13-16, 2003-07-01
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407377928832
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- NII論文ID
- 110003175356
- 110003308477
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles
