Effects of residual carbon and hydrogen atoms on electrical property of GaAsN films grown by chemical beam epitaxy
書誌事項
- タイトル別名
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- Special issue: Dry process
- Special issue Dry process
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 47 (8), 6910-6913, 2008-08
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407624459648
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- NII論文ID
- 40016211131
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
- 13474065
- http://id.crossref.org/issn/13474065
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- NDL書誌ID
- 9622161
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- Crossref
- CiNii Articles