書誌事項
- タイトル別名
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- MOCVDホウ ニ ヨル GaAs キバン ジョウ InGaAsソウ ノ テイオン セイチョウ
- 結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子材料,太陽電池,高耐圧素子等) 小特集:3族窒化物研究の最前線
- ケッショウ セイチョウ ヒョウカ ギジュツ オヨビ デバイス カゴウブツ Si SiGe デンシ ザイリョウ タイヨウ デンチ コウタイアツ ソシ トウ ショウトクシュウ 3ゾク チッカブツ ケンキュウ ノ サイゼンセン
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102 (81), 13-18, 2002-05-24
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407671263872
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- NII論文ID
- 110003174905
- 110003311009
- 110003175307
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles