低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価
Bibliographic Information
- Other Title
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- テイユウデンリツ Low k ネツ サンカ ヨウキョク カセイ Si ノ サクセイ ト ユウデン トクセイ ノ ヒョウカ
- Preparation and characterization of thermal oxidization anodized Si with a low-k dielectric constant
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (1), 41-46, 2008-04
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407847372672
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- NII Article ID
- 110006793645
- 110006792713
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles