Effects of the AlN interlayer on the distribution and mobility of two-dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN heterojunctions
書誌事項
- タイトル別名
-
- Effects of the AlN interlayer on the distribution and mobility of two dimensional electron gas in AlGaN AlN GaN heterojunctions
この論文をさがす
抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
-
- Japanese journal of applied physics : JJAP
-
Japanese journal of applied physics : JJAP 49 (3), 035701-, 2010-03
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009407992961792
-
- NII論文ID
- 40017033737
-
- NII書誌ID
- AA12295836
-
- ISSN
- 00214922
- 13474065
-
- NDL書誌ID
- 10613638
-
- 本文言語コード
- en
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- データソース種別
-
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles