書誌事項
- タイトル別名
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- AlGaN GaN HEMT ノ ゲートリーク
- 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?
- チッカブツ ハンドウタイ ヒカリ デンシ デバイス ザイリョウ オヨビ カンレン ギジュツ オヨビ イッパン チッカブツ ハンドウタイ コクサイ ワークショップ ; トクベツ セッションテーマ GaN デンシ デバイス ワ ドコ マデ トクセイ オ ノバス ノ カ
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105 (327), 75-78, 2005-10-13
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408086661760
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- NII論文ID
- 110003499856
- 110003501699
- 110003501728
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles