4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1520009408328261504

• NII論文ID

  110003205010

  110003308880

  110003204856

• NII書誌ID

  AN10442705

• ISSN

  09135685

• NDL書誌ID

  7153075

  7153395

  7153394

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/7153075

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7153075

  http://id.ndl.go.jp/bib/7153395

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7153395

  http://id.ndl.go.jp/bib/7153394

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7153394

• 本文言語コード

  ja

• NDL 雑誌分類

  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)

• データソース種別

  • NDLサーチ
  • CiNii Articles