Process conditions for improvement of electrical properties of Al2O3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition
書誌事項
- タイトル別名
-
- Process conditions for improvement of electrical properties of Al2O3 n GaN structures prepared by atomic layer deposition
この論文をさがす
抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
-
- Japanese journal of applied physics : JJAP
-
Japanese journal of applied physics : JJAP 49 (8), 080201-, 2010-08
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009408513533440
-
- NII論文ID
- 40017253745
-
- NII書誌ID
- AA12295836
-
- ISSN
- 00214922
- 13474065
- http://id.crossref.org/issn/13474065
- http://id.crossref.org/issn/00214922
-
- NDL書誌ID
- 10793297
-
- 本文言語コード
- en
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- データソース種別
-
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN