液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用
Bibliographic Information
- Other Title
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- エキテキ ヘテロエピタキシーホウ ニ ヨル InP キバン ジョウ GaInAsP オヨビ AlInAs バッファーソウ エ ノ InAs リョウシ ドット ノ ケイセイ ト デンリュウ チュウニュウガタ デバイス エ ノ オウヨウ
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 103 (49), 13-18, 2003-05-16
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408657194368
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- NII Article ID
- 110003175056
- 110003308833
- 110003175485
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles