選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製
Bibliographic Information
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- センタク MOVPEホウ オ モチイタ キョクセイ ヒキョクセイ GaN ストライプ ジョウ エ ノ InGaN GaN MQW コウゾウ ノ サクセイ
- MOVPE growth of InGaN/GaN MQW on a polar, semi-polar, and non-polar GaN stripes by selective MOVPE
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (423), 23-28, 2010-02
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408858976128
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- NII Article ID
- 110008001134
- 110008000007
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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