On the Interface Flattening Effect and Gate Insulator Breakdown Characteristic of Radical Reaction Based Insulator Formation Technology
書誌事項
- タイトル別名
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- Special Issue : Solid State Devices and Materials (1)
- 公開日
- 2012-02
- 公開者
- Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 51 (2), 2012-02
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408975380992
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- NII論文ID
- 40019169946
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 023453981
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles
