書誌事項
- タイトル別名
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- Si キバン ジョウ p InGaN AlGaN GaN HEMT ノ ノーマリオフ トクセイ
- Improved p-InGaN/AlGaN/GaN normally-off HEMTs on silicon substrates
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (31), 5-9, 2010-05
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409016312064
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- NII論文ID
- 110007999960
- 110008000036
- 110008001163
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles