Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性
Bibliographic Information
- Other Title
-
- Si キバン ジョウ p InGaN AlGaN GaN HEMT ノ ノーマリオフ トクセイ
- Improved p-InGaN/AlGaN/GaN normally-off HEMTs on silicon substrates
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (31), 5-9, 2010-05
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Keywords
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009409016312064
-
- NII Article ID
- 110007999960
- 110008000036
- 110008001163
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles