AlGaN/GaN系高出力パワーデバイスの作製とその温度特性
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- AlGaN/GaNケイ コウシュツリョク パワーデバイス ノ サクセイ ト ソノ オンド トクセイ
- Study on temperature dependence and analysis of III-Nitride semiconductor power-devices
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- 名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編
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名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University / 名城大学総合研究所 編 (15), 49-52, 2010
名古屋 : 名城大学総合研究所
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409288181120
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- NII Article ID
- 40020145860
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- NII Book ID
- AN10581869
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- ISSN
- 13448099
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- NDL BIB ID
- 025625694
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
