Roughness increase on surface and interface of SiO2 grown on atomically flat Si(111) terrace
書誌事項
- タイトル別名
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- Roughness increase on surface and interface of SiO2 grown on atomically flat Si 111 terrace
- Special issue: Dielectric thin films for future ULSI devices: science and technology
- Special issue Dielectric thin films for future ULSI devices science and technology
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics : JJAP
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Japanese journal of applied physics : JJAP 48 (5), 2009-05
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409447244800
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- NII論文ID
- 40016585550
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- NII書誌ID
- AA12295836
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 10227432
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles