招待講演 High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案
Bibliographic Information
- Other Title
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- ショウタイ コウエン High k MOSFET ニ コユウナ イドウド レッカ キコウ ノ テイアン
- Intrinsic mobility reduction mechanism in high-k gate dielectrics
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (455), 1-4, 2008-01-24
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409492350080
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- NII Article ID
- 110006613688
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 9375785
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles