中性原子発生装置の開発とナノスケール半導体薄膜形成への応用に関する研究
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- チュウセイ ゲンシ ハッセイ ソウチ ノ カイハツ ト ナノスケール ハンドウタイ ハクマク ケイセイ エノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
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- 室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
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室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告 (17), 中扉1枚,23-31, 2006-11
室蘭 : 室蘭工業大学地域共同研究開発センター
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409851723904
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- NII Article ID
- 40015604642
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- NII Book ID
- AN10363915
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- NDL BIB ID
- 8909720
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
