高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT²)技術
書誌事項
- タイトル別名
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- コウタイアツ デバイス ノ ユウコウ メンセキ コウリツ オ カイゼン スル コウアスペクトヒ ディープトレンチ シュウ タン(HARDT ²)ギジュツ
- High Aspect Ratio Deep Trench Termination (HARDT²) Technique to Improve Active Area Efficiency of High Voltage Devices
- 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
- デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ ・ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
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電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2017 (151-164・166-172), 1-6, 2017-11-20
東京 : 電気学会
