Bibliographic Information
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- 5000V SiC ソウホウコウ スーパージャンクション MOSFET ノ トクセイ ヨソク
- Predicted Electrical Characteristics of a new SiC bi-directional super-junction (SJ) MOSFET structure (SBSM)
- 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
- デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (52-65・67-73), 23-28, 2017-11-20
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009410006878976
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- NII Article ID
- 40021407768
- 40021407434
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
