再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発
書誌事項
- タイトル別名
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- サイセイチョウ p-GaN/AlGaN/GaN ハンキョクセイ ゲート コウゾウ オ モチイタ ノーマリオフガタ GaN キバン ジョウ タテガタ GaN トランジスタ ノ カイハツ
- Normally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate with Regrown p-GaN/AlGaN/GaN Semipolar Gate Structure
- 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (42-51), 13-17, 2017-03
東京 : 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009410008880896
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- NII論文ID
- 40021167622
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- NDL書誌ID
- 028118835
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles