エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル--転位論に基ずく検討
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- エキシマ レーザ アニール ニ ヨリ ケイセイ シタ テイオン プロセス タケッショウ Si セイチョウ モデル テンイロン ニ モトズク ケントウ
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 99 (22), 9-14, 1999-04-23
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009410307508992
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- NII Article ID
- 110003200844
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 4730619
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
