第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減
Bibliographic Information
- Other Title
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- ダイ3 セダイ 650V RC-IGBT ノ キョクショ ライフタイム セイギョ ト コウミツド ハイチ ダイオード ニ ヨル ジャンクション オンド ノ テイゲン
- Reduction of Junction Temperature with Local Lifetime Control and High Density Arranged Diode for 3rd Gen. 650 V RC-IGBT
- 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・電力変換器とその制御
- デンシ デバイス/ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ デンリョク ヘンカンキ ト ソノ セイギョ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2023 (45-67), 17-21, 2023-10-27
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520016649123345408
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- NDL BIB ID
- 033147908
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL