イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
書誌事項
- タイトル別名
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- イオン チュウニュウ GaNケイ デンカイ コウカ トランジスタ ノ コウセイノウカ
- Study on ion-implanted GaN heterojunction FET
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収録刊行物
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- 法政大学イオンビーム工学研究所報告
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法政大学イオンビーム工学研究所報告 (30), 3-12, 2009
小金井 : 法政大学イオンビーム工学研究所
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290882142630912
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- NII論文ID
- 40018784396
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- NII書誌ID
- AN00354689
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- ISSN
- 02860201
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- NDL書誌ID
- 11061966
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles