Characteristics of Dual Polymetal(W/WNx/Poly-Si)Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor for 0.1μm Dynamic Random Access Memory Technology
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristics of Dual Polymetal W WNx Poly Si Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor for 0 1マイクロm Dynamic Random Access Memory Technology
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抄録
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
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Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 39 (4B), 1969-1973, 2000-04
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290882284151040
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- NII論文ID
- 110004078262
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- NII書誌ID
- AA10457675
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 5384336
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles