光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性
Bibliographic Information
- Other Title
-
- ヒカリ ショウシャ カ ニ オケル Si リョウシ ドットフローティングゲート MOS キャパシタ ノ デンカ チュウニュウ ホウシュツ トクセイ
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (713), 63-66, 2005-03-11
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290882304668928
-
- NII Article ID
- 110003311257
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL BIB ID
- 7356385
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL Search
- CiNii Articles