Physical Mechanism Determining Ge p- and n-MOSFETs Mobility in High Ns Region and Mobility Improvement by Atomically Flat GeOx/Ge Interfaces

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  • Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeOx/Ge界面による移動度の向上
  • Ge p- and n-MOSFET ノ コウデンカイ リョウイキ デ ノ イドウド レッカ キコウ ノ カイセキ ト ゲンシソウ ヘイタン GeOx/Ge カイメン ニ ヨル イドウド ノ コウジョウ
  • シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
  • シリコン ザイリョウ ・ デバイス ・ IEDM トクシュウ(センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ)

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