酸素の化学ポテンシャルデザインに基づくMONOS型メモリーの原子レベルの設計指針
Bibliographic Information
- Other Title
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- サンソ ノ カガク ポテンシャル デザイン ニ モトズク MONOSガタ メモリー ノ ゲンシ レベル ノ セッケイ シシン
- Atomistic guiding principle for MONOS-type memory based on designing oxygen chemical potemtial
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (406), 21-24, 2011-01-31
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290882952767488
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- NII Article ID
- 110008675829
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 10971009
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
