P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
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- P/N クドウリョク バランス オ コウリョ シタ キバン バイアス セイギョ ニ ヨル チョウテイデンアツ 0.4V ドウサ SOTB-CMOS カイロ ノ ダイ カン チエンバラツキ ヨクセイ
- Suppression of Die-to-Die Delay Variability of Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) CMOS Circuits by Balanced P/N Drivability Control with Back-Bias for Ultralow-Voltage (0.4V) Operation
- シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ(IEDM トクシュウ)
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (420), 35-38, 2014-01-29
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290882964640768
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- NII Article ID
- 110009825264
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 025278749
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles