A New Poly-Si TFT Employing Air-Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current
書誌事項
- タイトル別名
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- New Poly Si TFT Employing Air Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current
- ASID'00
- ASID 00
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 100 (356), 129-134, 2000-10-20
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883025915904
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- NII論文ID
- 110003269590
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 5568407
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles