熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
書誌事項
- タイトル別名
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- ネツ サンカ SiC-MOS デバイス チュウ ノ カドウ イオン ノ イジョウ セイセイ ト トクセイ カイゼン ギジュツ
- Unusual Generation and Elimination of Mobile Ions in Thermally Grown Oxides in SiC-MOS Devices
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (87), 87-90, 2013-06-18
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883049889664
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- NII論文ID
- 110009779109
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 024683281
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles