マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価
Bibliographic Information
- Other Title
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- マイクロハ ヒカリ ドウデン ゲンスイホウ ニ ヨル pガタ 4H SiC エピタキシャルマク ノ ヒョウカ
- Characterization of epitaxial p-type 4H-SiC layers by the microwave photoconductivity decay method
- 電子部品・材料
- デンシ ブヒン ザイリョウ
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (35), 95-100, 2008-05
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883169489920
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- NII Article ID
- 110006862294
- 110006862199
- 110006862178
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
