依頼講演 レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm[2]セル2電源SRAM
Bibliographic Information
- Other Title
-
- イライ コウエン レベル カヘン ワードセン ドライバ オ モチイテ プロセスバラツキ タイセイ オ コウジョウ シタ 40nm CMOS プロセス 0 179ミューm 2 セル 2 デンゲン SRAM
- A process-variation-tolerant dual-power-supply SRAM with 0.179μm[2] cell in 40nm CMOS using level-programmable wordline driver
- 集積回路
- シュウセキ カイロ
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (2), 21-26, 2009-04
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290883644699904
-
- NII Article ID
- 110007227456
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL BIB ID
- 10220129
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles