GaAs/Al0.3Ga0.7As Resonant Tunneling Diodes with Atomically Flat Interfaces Grown on(411)A GaAs Substrates by MBE

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  • GaAs Al0.3Ga0.7As Resonant Tunneling Di

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資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌

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