Schottky Barrier Height Reduction of Pd₂Si/Si(100) Diodes by Dopant Segregation Process
Bibliographic Information
- Other Title
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- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118 (241), 35-40, 2018-10
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883816216960
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- NII Article ID
- 40021713531
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 029324818
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- Text Lang
- en
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles