化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション
Bibliographic Information
- Other Title
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- カガクテキ キソウ タイセキホウ オ モチイタ SiC トレンチ ウメコミ ノ トポグラフィー ・ シミュレーション
- Topography Simulation of SiC-Chemical-Vapor-Deposition Trench Filling
- 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2018 (32-42), 17-22, 2018-03
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884957020032
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- NII Article ID
- 40021550581
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- NDL BIB ID
- 028999369
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
