Bibliographic Information
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- サンジゲン スケーリング ニ ヨル IGBT ノ V[CEsat]テイゲン ノ ジッケンテキ ケンショウ
- Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low V[CEsat] IGBTs
- 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
- デンシ デバイス ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (74-86), 1-6, 2017-11-21
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884959250176
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- NII Article ID
- 40021407343
- 40021407530
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles