選択成長法を用いたGaN系FinFET
Bibliographic Information
- Other Title
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- センタク セイチョウホウ オ モチイタ GaNケイ FinFET
- GaN FinFETs fabricated by using selective area growth
- 電子デバイス研究会 高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ コウキノウ カゴウブツ ハンドウタイ エレクトロニクス ギジュツ ト ショウライ システム エ ノ オウヨウ
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2021 (24-33), 11-15, 2021-03-03
東京 : 電気学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884980506240
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- NII Article ID
- 40022543506
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- NDL BIB ID
- 031403922
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
