フッ素系ドライエッチングを用いて形成されたゲートフィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧変動解析
書誌事項
- タイトル別名
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- フッソケイ ドライエッチング オ モチイテ ケイセイ サレタ ゲートフィールドプレート オ ユウスル AlGaN/GaN HEMT ノ イキチ デンアツ ヘンドウ カイセキ
- Threshold voltage variation analysis in AlGaN/GaN HEMTs having gate field-plate fabricated by fluorine-based dry etching
- 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ
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収録刊行物
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- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
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電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2019 (36-44), 33-37, 2019-03
東京 : 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290884981360256
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- NII論文ID
- 40021869531
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- NII書誌ID
- AN1044178X
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- NDL書誌ID
- 029638592
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles
