AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減
書誌事項
- タイトル別名
-
- AlGaN/GaN HEMT エ ノ ゲンシソウ エッチング ニ ヨル プラズマ ユウキ ダメージ ノ テイゲン
- Reduction of plasma-induced damage on AlGaN/GaN HEMT by atomic layer etching
- 電子デバイス研究会 次世代化合物半導体デバイスの機能と応用
- デンシ デバイス ケンキュウカイ ジセダイ カゴウブツ ハンドウタイ デバイス ノ キノウ ト オウヨウ
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
-
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2017 (42-51), 19-22, 2017-03
東京 : 電気学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290884989537920
-
- NII論文ID
- 40021167669
-
- NII書誌ID
- AN1044178X
-
- NDL書誌ID
- 028118897
-
- 本文言語コード
- ja
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles
