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窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響
Bibliographic Information
- Other Title
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- チッカ シリコン チュウ ノ チッソ クウコウ ニ ドウニュウ サレタ ゲンソ ガ デンシ トラップ ジュンイ ニ アタエル エイキョウ
- The effect of incorporated elements in nitrogen vacancies on electron trap level in silicon nitride
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (296), 21-26, 2013-11
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290885120578048
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- NII Article ID
- 110009889349
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- NII Book ID
- AN10013254
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 025084531
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
- CiNii Articles