Gate Assisted Turn-off Thyristor(GATT)構造によるサイリスタの高周波化について
書誌事項
- タイトル別名
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- Gate Assisted Turn off Thyristor GATT コ
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説明
記事分類: 電気工学--電子工学--電子部品--固体素子
収録刊行物
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- 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
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電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems 102 (7), p155-162, 1982-07
東京 : 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520290885251307392
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- NII論文ID
- 40002523702
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- NII書誌ID
- AN10065950
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- ISSN
- 03854221
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- NDL書誌ID
- 2457147
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles
