傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
Bibliographic Information
- Other Title
-
- ケイシャ エッチングホウ オ モチイタ Metal-Nitride-Oxide-Si コウゾウ ゼツエン マク チュウ ノ コテイ デンカ ブンプ オヨビ デンカリョウ ノ ゼツエン マクアツ イソンセイ ヒョウカ
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
-
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 82 (1), 23-30, 1999-01
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520290885284428160
-
- NII Article ID
- 110003315185
-
- NII Book ID
- AN10071294
-
- ISSN
- 09151907
-
- NDL BIB ID
- 4639834
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles