書誌事項
- タイトル別名
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- Ultrathin Layered Semiconductor Si Rich Transition Metal Silicide
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収録刊行物
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- Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
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Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 46 (1-3), L28-30, 2007-01
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520291855652083840
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- NII論文ID
- 10018495388
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- NII書誌ID
- AA10650595
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- ISSN
- 00214922
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- NDL書誌ID
- 8621179
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles