RFマグネトロンスパッタリング法による単結晶ダイヤモンド(111)基板上のβ-Ga₂O₃薄膜のヘテロエピタキシャル成長
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- RF マグネトロンスパッタリングホウ ニ ヨル タンケッショウ ダイヤモンド(111)キバン ジョウ ノ v-Ga ₂ O ₃ ハクマク ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ
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- New diamond = ニューダイヤモンド / ニューダイヤモンドフォーラム 編
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New diamond = ニューダイヤモンド / ニューダイヤモンドフォーラム 編 40 (2), 22-24, 2024-04
東京 : ニューダイヤモンドフォーラム
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520300313413557504
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- NII Book ID
- AN1020856X
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- ISSN
- 13404792
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- NDL BIB ID
- 033499683
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZP9(科学技術--化学・化学工業--無機化学・無機化学工業--セラミックス・窯業)
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- Data Source
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