角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究
Bibliographic Information
- Other Title
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- カクド ブンカイ コウデンシ ブンコウホウ ニ ヨル ゲート ゼツエンマク シリコン キバン カイメン ニ ケイセイサレル コウゾウ センイソウ ニ カンスル ケンキュウ
- Study on compositional transition layers at gate dielectrics/Si interface by using angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (236), 69-74, 2008-10
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572357369458816
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- NII Article ID
- 110007082003
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 9702096
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles