招待公演 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証--軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性

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  • ショウタイ コウエン 10nm イカ ノ ゴクウスマク ダブルゲート SOI p FET ニ オケル コウイドウド ノ ジッショウ カルイ セイコウ バンド ノ ヤクワリ ト 1ジクセイ オウリョク エンジニアリング トノ セイゴウセイ
  • High mobility in ultrathin-body double-gate SOI p-FET with sub-10-nm body thickness: role of light-hole band and compatibility with uniaxial stress engineering
  • シリコン材料・デバイス
  • シリコン ザイリョウ デバイス

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  • CRID
    1520572357629170816
  • NII Article ID
    110006613690
  • NII Book ID
    AA1123312X
  • ISSN
    09135685
  • NDL BIB ID
    9375907
  • Text Lang
    ja
  • NDL Source Classification
    • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • Data Source
    • NDL
    • CiNii Articles

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