Advanced 10nm Width Silicon-on-Insulator Tri-Gate Transistors with NO Annealing of Gate Oxide Using Optimized Novel Silicon-on-Insulator Realization Technology
書誌事項
- タイトル別名
-
- Special Issue : Solid State Devices and Materials (2)
この論文をさがす
収録刊行物
-
- Japanese journal of applied physics : JJAP
-
Japanese journal of applied physics : JJAP 51 (4), 2012-04
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1520572358425852544
-
- NII論文ID
- 40019231144
-
- NII書誌ID
- AA12295836
-
- ISSN
- 00214922
-
- NDL書誌ID
- 023587852
-
- 本文言語コード
- en
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles