実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価
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- ジッケン ト デバイス シミュレーション ニ ヨル nMOSFET ノ オウリョク ニ キインシタ DC トクセイ ヘンドウ ヒョウカ
- Experimental and numerical evaluation of stress effects on DC characteristics of nMOSFETs
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- 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編
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電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編 90 (4), 351-362, 2007-04
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358682560384
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- NII Article ID
- 110007379892
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- NII Book ID
- AA11412446
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- ISSN
- 13452827
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- NDL BIB ID
- 8780160
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- Text Lang
- ja
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- Article Type
- journal article
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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